Ток насыщения

Плотность — ток — насыщение

Когда потенциал анода становится настолько большим, что все электроны, испускаемые катодом за каждую единицу времени, попадают на анод, ток достигает своего максимального значения и перестает зависеть от анодного напряжения. Плотность тока насыщения js, т.е. сила тока насыщения на каждую единицу поверхности катода, характеризует эмиссионную способность катода, которая зависит от природы катода и его температуры.

Температурная зависимость напряжения на тиристорах в открытом состоянии мало чем отличается от соответствующей зависимости напряжения на силовых диодах. Плотности токов насыщения переходов также экспоненциально увеличиваются при этом с ростом температуры. Благодаря этому при неизменном значении плотности тока в открытом состоянии падения напряжения на переходах практически линейно уменьшаются с ростом температуры.

Число электронов в металле, способных преодолеть потенциальный барьер на поверхности и выйти в вакуум, быстро увеличивается при повышении температуры. Поэтому и плотность тока насыщения очень сильно зависит от температуры.

Зависимость термоэлектронного тока насыщения от температуры.

Здесь С — постоянная, различная для разных металлов. Эта формула выражает зависимость плотности тока насыщения катода от температуры и известна в литературе под названием формулы Ричардсона. Приведенный выше вывод был основан на представлениях классической электронной теории.

Каковы же расчетные ожидаемые значения КПД СЭ с одним р-тг-переходом на основе кремния и арсенида галлия при современном уровне технологии получения этих материалов. Ответ на этот вопрос зависит от степени близости значений плотности тока насыщения i0, реализуемых в приборах, к минимально возможным значениям i Omta.

Это уравнение показывает ( в рамках принятых допущений), изменения каких параметров вызывают увеличение Voc. Это, во-первых, высота барьера — наиболее важный параметр, определяющий плотность тока насыщения Joe основных носителей заряда; во-вторых, диодный коэффициент А, который в данной модели характеризует отношение V / VS ( названное Фонашом распределением поля); в-третьих, Joe и / /, зависящие от коэффициентов прозрачности барьера f е и У /, для туннелирующих носителей. Все эти параметры наиболее существенно влияют на термоэмиссионную составляющую диодного тока. Рассмотрим их более подробно.

Из равенства ( 8) вытекает, что плотность тока / не зависит от напряженности поля Е, а следовательно, и от разности потенциалов 1 / 1 — К) между электродами. Плотность тока / является максимально возможной при данных условиях ( данных Ди, q и /) и называется плотностью тока насыщения.

При увеличении анодного напряжения ток возрастает до некоторого максимального значения /, ж, называемого током насыщения. Это означает, что почти все электроны, покидающие катод, достигают анода, поэтому дальнейшее увеличение напряженности ноля не может привести к увеличению термоэлектронного тока. Следовательно, плотность тока насыщения характеризует эмиссионную способность материала катода.

При увеличении анодного напряжения ток возрастает до некоторого максимального значения / нас, называемого током насыщения. Это означает, что почти все электроны, покидающие катод, достигают анода, поэтому дальнейшее увеличение напряженности поля не может привести к увеличению термоэлектронного тока. Следовательно, плотность тока насыщения характеризует эмиссионную способность материала катода.

При увеличении анодного напряжения ток возрастает до некоторого максимального значения / с, называемого током насыщения. Это означает, что почти все электроны, покидающие катод, достигают анода, поэтому дальнейшее увеличение напряженности поля не может привести к увеличению термоэлектронного тока. Следовательно, плотность тока насыщения характеризует эмиссионную способность материала катода.

Эга плотность тока создается всеми ионами, порождаемыми ионизатором в заключенном между электродами столбе газа с единичным поперечным сечением. Следовательно, эта плотность тока является наибольшей при данной интенсивности ионизатора и заданном расстоянии / между электродами. Ее называют плотностью тока насыщения / нас.

Основная характеристика и параметры полупроводникового диода. Какая разница между диффузионным и дрейфовым током?

Полупроводниковый
прибор с одним р-n-переходом, имеющий
два омических вывода, называют
полупроводниковым диодом. Одна из
областей р-n-структуры (р+), называемаяэмиттером,
имеет большую концентрацию основных
носителей заряда, чем другая область,
называемая базой.

При
обратном напряжении диода свыше
определенного критического значения
наблюдается резкий рост обратного тока
-это явление называют пробоем диода.

Емкости
диода. Принято говорить об общей емкости
диода Сд , измеренной между выводами
диода при заданном напряжении смещения
и частоте. Общая емкость диода равна
сумме барьерной емкости С6 , диффузионной
емкости Сдиф и емкости корпуса прибора
Ск. Барьерная (зарядная) емкость
обусловлена нескомпенсированным
объемным зарядом ионов примесей,
сосредоточенными по обе стороны от
границы р-n-перехода. Диффузионная
емкость. Изменение величины объемного
заряда неравновесных электронов и
дырок, вызванное изменением прямого
тока, можно рассматривать как следствие
наличия так называемой диффузионной
емкости, которая включена параллельно
барьерной емкости..

Выпрямительные
диоды используют для выпрямления
переменных токов частотой 50 Гц – 100 кГц.
В них используется главное свойство
p-n-перехода – односторонняя проводимость.

Дифференциальным
сопротивлением диода называют отношение
приращения напряжения на диоде к
вызванному им приращению тока :r ДИФ =
dU/dI

Статическая
вольт-амперная характеристика (ВАХ)
полупроводникового диода. Здесь же
пунктиром показана теоретическая ВАХ
электронно-дырочного перехода,
определяемая соотношением I=I0(еU/(mjт)-1),
где Iо — обратный ток насыщения (ток
экстракции, обусловленный неосновными
носителями заряда; значение его очень
мало); U — напряжение на p-n-переходе; jт
= kT/e — температурный потенциал (k —
постоянная Больцмана, Т — температура,
е — заряд электрона); m — поправочный
коэффициент: m = 1 для германиевых
р-n-переходов и m = 2 для кремниевых
p-n-переходов при малом токе).

Ток,
возникающий при диффузии носителей
заряда из области, где их концентрация
повышена в направлении области с более
низкой концентрацией, называется
диффузионным. область, содержащая
неподвижные заряды, создает электрическое
поле, величина которого пропорциональна
размерам заряженных областей, а
направление такое, что вызывает дрейф
электронов или дырок навстречу
диффузионному потоку.

Дрейфовым
потоком (током проводимости) называется
перенос носителей заряда вследствие
действия на них электрического поля.
Поэтому можно рассматривать результирующий
перенос носителей данного типа как
разность между переносом вследствие
диффузии и переносом за счет дрейфа,
т.е. как разность между диффузионным и
дрейфовым токами. При равновесии
дрейфовые и диффузионные компоненты
электронных и дырочных потоков
уравновешивают друг друга и полный ток
во внешних выводах равен нулю. Диффузия
и дрейф происходят только вблизи
перехода. Вдали от перехода р- и n-области
нейтральны и однородны. Степень
неравномерности распределения носителей
заряда характеризуется градиентом
концентрации; его определяют как
отношение изменения концентрации к
изменению расстояния, на котором оно
происходит. Чем больше градиент
концентрации, т.е. чем резче она изменяется,
тем больше диффузионный ток.

Плотность тока насыщения

В физической электронике используют понятие плотности тока насыщения. Эта величина характеризует эмиссионную способность металла, из которого сделан катод, и зависит от его вида и температуры.

Плотность тока насыщения выражается формулой, которая была выведена на основе квантовой статистики Ричардсоном и Дешманом:

j – плотность тока насыщения[А/м2]

R — среднее значение коэффициента отражения электронов от потенциального барьера

A — термоэлектрическая постоянная со значением 120,4 А/(K2·см2)

T— температура

qφ — значение работы выхода из катода электронов , q – электронный заряд

k — постоянная Больцмана, которая равна 1,38·10-23 Дж/К

Скорее всего, Вам будет интересно:

Закон Кулона: формулировка, определение, формула
Основные положения молекулярно-кинетической теории (МКТ), формулы МКТ
Уравнение состояния идеального газа Менделеева-Клапейрона с выводом
Свойства вписанной в треугольник окружности
Основное уравнение молекулярно-кинетической теории (МКТ) с выводом
WN6 рейтинг – что это
Свойства прямоугольной трапеции
Как найти область определения функции онлайн
Средняя линия трапеции: чему равна, свойства, доказательство теоремы
Состав служебного программного обеспечения

29.6 Бозоны

Бозон — это частица или (квазичастица — как, например, фонон — квант упругих колебаний в твердых телах) с нулевым или целочисленным спином. К бозонам, как уже упоминалось (28.8.2), относятся также фотоны (спин s = 1), составные частицы, состоящие из четного числа фермионов (например, для атома 4₂He), куперовские пары электронов, образование которых приводит к сверхпроводимости.

29.6.1. Распределение Бозе-Эйнштейна

Распределение Бозе-Эйнштейна дает <n(E_i)>
среднее число невзаимодействующих между собой бозонов
в состоянии с энергией E_i, где i — набор квантовых
чисел, характеризующих квантовое состояние. Формула распределения
Бозе-Эйштейна имеет следующий вид:

где μ — химический потенциал;

T — абсолютная температура (22.2.3);

k — постоянная Больцмана (22.2.5).

В отличие от распределения Ферми-Дирака (29.3.2.1, 29.3.2.2)
в знаменателе стоит минус единица. Вследствие этого химический
потенциал μ для бозонов не может быть положительным.
Иначе при E_i < μ (если бы μ> 0!)
показатель экспоненты в знаменателе стал бы отрицательным,
экспонента стала бы меньше единицы и некоторые из чисел
заполнения n_i стали бы отрицательными, что
невозможно.

Если полное число частиц в системе не фиксировано, как, например, для фотонов при тепловом излучении (26.2), то химический потенциал μ равен нулю.

При фиксированном числе частиц величину μ определяют
из условия нормировки, как и в случае распределения
Ферми-Дирака (29.3.2.3).

29.6.2. Фотонный газ

При обычных, не лазерных, интенсивностях фотоны можно считать невзаимодействующими между собой бозонами, поэтому тепловое излучение, находящееся в равновесии со стенками излучающей полости можно рассматривать как идеальный фотонный газ.

Как было отмечено выше, химический потенциал для системы
фотонов μ = 0. Энергия фотона (26.1.3,
26.1.4), следовательно распределение Бозе-Эйнштейна для
фотонов имеет следующий вид:

здесь <n(ω_i)> — среднее число
фотонов с частотой ω_i. Частота ω_i задает квантовое состояние фотона.

29.6.3. Вывод формулы Планка для
u(ω, Т) — функции распределения плотности
энергии в спектре излучения абсолютно черного тела

Ток — насыщение — диод

Ток насыщения диода равен току эмиссии катода. Однако этот участок характеристики обычно не используется, так как при работе на нем срок службы катода уменьшается.

Посмотрим теперь, каким образом ток насыщения диода зависит от температуры.

Характер изменения электронной температуры в столбе плазмы для любых газов.

Шумовой ток im зависит от тока насыщения диода /, который легко можно регулировать изменением тока накала диода. На более высоких частотах шумовой ток уменьшается вследствие влияния индуктивностей выводов электродов диода ( особенно катода), междуэлектродной и монтажной емкостей и времени пролета электронов от катода К щюду. Хорошим источником шума в диапазоне частот от единиц герц до десятков мегагерц является фотоэлектронный умножитель. Природа возникновения шумов фотокатода такая же, как и в вакуумном диоде, но так как в фотоэлектронном умножителе фототок усиливается за счет вторичной эмиссии, то его значение в несколько раз больше тока диода. Средняя шумовая мощность легко регулируется изменением светового потока, падающего на фотокатод.

Посмотрим теперь, каким образом ток насыщения диода зависит от температуры.

Переход р-п с внешним напряжением приложенным в обратном направлении.

Постоянная / в формуле ( 158) является током насыщения диода.

Частоту пилообразного напряжения такого генератора регулируют, изменяя емкость конденсатора С и ток насыщения диода. Регулировка тока насыщения диода достигается изменением накала его катода. Для удобства регулировки тэка диод заменяют пентодом. Ток пентода регулируют изменением напряжения экранирующей или управляющей сетки. Величину пилообразного напряжения регулируют, изменяя сеточное напряжение тиратрона, и, следовательно, напряжение его зажигания.

Потенциальные барьеры на отдельной межкристаллитной границе в случае приложения внешнего смещения V V V-i.

При средних смещениях высоту барьера определяет возросшее значение Л и ток становится равным току насыщения обратносмещенного диода или сублинейно зависит от напряжения смещения. В ряде случаев барьеры выдерживают напряжения до 100 В. При достаточно высоких напряжениях потенциальный барьер исчезает и наблюдается экспоненциальная зависимость тока от напряжения.

Эффективность различных способов однополярного управления.

При использовании в схемах модуляторов кремниевых транзисторов, у которых, как правило, величина тока насыщения базы того же порядка или меньше тока насыщения диода, включение диода Д по схеме рис. 1 — 34, а не приводит к заметному снижению приложенного к закрытому транзистору запирающего напряжения.

Чтобы найти значения хт и Vm для подстановки в формулы ( 39 37) и ( 39 38), необходимо знать плотность полного тока термоэлектронной эмиссии катода или, другими словами, плотность тока насыщения диода.

Идеализированная характеристика диода.| Напряжение на.

Так как в начальный момент напряжение на конденсаторе равно нулю, то на диоде оно равно напряжению ИБ батареи; если напряжение U Б выбрано так, что UB US ( рис. 1.19), то начальный ток заряда конденсатора равен току насыщения Is диода.

Формирование электрического тока в жидкостях

Несмотря на то, что процесс проводимости электрического тока осуществляется посредством металлических приборов (проводников), ток в жидкостях лежит в зависимости от движения заряженных ионов, которые приобрели или потеряли по некой определенной причине подобные атомы и молекулы. Показателем такого движения выступает изменение свойств определенного вещества, где проходят ионы. Таким образом, нужно опираться на основное определение электрического тока, чтобы сформировать специфическое понятие формирования тока в различных жидкостях. Определено, что разложение отрицательно заряженных ионов способствует движению в область источника тока с положительными значениями. Положительно заряженные ионы в таких процессах будут двигаться в противоположном направлении – к отрицательному источнику тока.

Готовые работы на аналогичную тему

Курсовая работа Электрический ток в жидкостях 460 руб.
Реферат Электрический ток в жидкостях 220 руб.
Контрольная работа Электрический ток в жидкостях 190 руб.

Получить выполненную работу или консультацию специалиста по вашему учебному проекту Узнать стоимость Жидкие проводники делятся на три основных типа:

полупроводники;
диэлектрики;
проводники.

Определение 1

Электролитическая диссоциация — процесс разложения молекул определенного раствора на отрицательные и положительные заряженные ионы.

Можно установить, что электроток в жидкостях может возникать после изменения состава и химического свойства используемых жидкостей. Это напрочь противоречит теории распространения электрического тока иными способами при использовании обычного металлического проводника.

Использование плотности тока на практике

Очень часто возникает вопрос о возможности использования конкретного провода для тех или иных целей. То есть, способен ли он выдержать определенную нагрузку

В этих случаях, очень важно определить плотность электротока с допустимой величиной

Данный показатель очень важен, поскольку в каждом проводнике возникает сопротивление току, протекающему через него. Происходят потери тока, из-за чего проводник начинает нагреваться. При слишком больших потерях, наступает критическое нагревание, вызывающее расплавление проводника. Чтобы исключить подобные ситуации, каждому прибору или потребителю устанавливается наиболее оптимальная плотность тока, формула которой позволит рассчитать .

Когда возникает необходимость выбрать нужное сечение провода или кабеля, необходимо учитывать допустимое значение плотности электротока. Для практических расчетов во время проектирования используются специальные таблицы и формулы, позволяющие получить желаемый результат.

Для разных существуют различные значения плотности. В настоящее время используются только медные провода, в которых плотность электротока не должна превышать 6-10 А/мм2. Это особенно актуально для долговременной эксплуатации, когда проводке обеспечивается облегченный режим. Допускается эксплуатация и при повышенных нагрузках, только на очень короткое время.

Электрическим током
называется направленное (упорядоченное) движение заряженных частиц.

Электрический ток в проводниках различного рода представляет собой либо направленное движение электронов в металлах (проводники первого рода), имеющих отрицательный заряд, либо направленное движение более крупных частиц вещества — ионов, имеющих как положительный, так и отрицательный заряд — в электролитах (проводники второго рода), либо направленное движение электронов и ионов обоих знаков в ионизированных газах (проводники третьего рода).

За направление электрического
тока условно принято направление движения положительно заряженных частиц.

Для существования электрического тока
в веществе необходимо:

наличие заряженных частиц, способных свободно перемещаться по проводнику под действием сил электрического поля;
наличие источника тока, создающего и поддерживающего в проводнике в течение длительного времени электрическое поле.

Количественными характеристиками электрического тока являются сила тока I и плотность тока j.

Сила тока
— скалярная физическая величина, определяемая отношением заряда q, проходящего через поперечное сечение проводника за некоторый промежуток времени t, к этому промежутку времени.

Единицей силы тока в СИ является ампер (А).

Если сила тока и его направление со временем не изменяются, то ток называется постоянным
.

Единица силы тока — основная единица в СИ 1 А — есть сила такого неизменяющегося тока, который, проходя по двум бесконечно длинным параллельным прямолинейным проводникам очень маленького сечения, расположенным на расстоянии 1 м друг от друга в вакууме, вызывает силу взаимодействия между ними 2·10 -7 Н на каждый метр длины проводников.

Рассмотрим, как зависит сила тока от скорости упорядоченного движения свободных зарядов.

Выделим участок проводника площадью сечения S и длиной l (рис. 1). Заряд каждой частицы q 0 . В объеме проводника, ограниченном сечениями 1 и 2, содержится nSl частиц, где n — концентрация частиц. Их общий заряд

Если средняя скорость упорядоченного движения свободных зарядов , то за промежуток времени

все частицы, заключенные в рассматриваемом объеме, пройдут через сечение 2. Поэтому сила тока:

Таким образом, сила тока в проводнике зависит от заряда, переносимого одной частицей, их концентрации, средней скорости направленного движения частиц и площади поперечного сечения проводника.

Заметим, что в металлах модуль вектора средней скорости упорядоченного движения электронов при максимально допустимых значениях силы тока ~ 10 -4 м/с, в то время как средняя скорость их теплового движения ~ 10 6 м/с.

J — это векторная физическая величина, модуль которой определяется отношением силы тока I в проводнике к площади S поперечного сечения проводника, т.е.

В СИ единицей плотности тока является ампер на квадратный метр (А/м 2).

Как следует из формулы (1),

направление вектора плотности тока совпадает с направлением вектора скорости упорядоченного движения положительно заряженных частиц. Плотность постоянного тока постоянна по всему поперечному сечению проводника.

Несамостоятельный и самостоятельный ток

Описанный кратко механизм возникновения тока в газах под воздействием внешнего поля представляет собой несамостоятельный разряд. После снятия внешнего воздействия электроток в газообразном веществе исчезает. Чтобы исследовать зависимости силы тока от напряжения, предстоит использовать стеклянную трубку, в которую впаяны электроды.

Если начать воздействовать на это устройство с помощью ионизатора, например, рентгеновского излучения, то в газе каждую секунду будет появляться некоторое количество пар свободных частиц с определенным зарядом. При отсутствии на клеммах электродов напряжения сила тока окажется равной нулю. Создав небольшую разницу потенциалов, можно заставить заряженные частицы упорядочено перемещаться, что приведет к появлению газового разряда.

Но из-за рекомбинации не все образованные в результате процесса ионизации ионы смогут дойти до электродов. Часть этих частиц приобретет нейтральный заряд. При увеличении разности потенциалов число заряженных ионов и электронов будет возрастать. При достижении определенного напряжения все заряженные частицы доберутся до электродов. Это позволяет говорить о том, что электроток достиг насыщения.

В результате вольт-амперная характеристика при появлении несамостоятельного тока становится нелинейной. Говоря проще, закон Ома в газах работает лишь при небольшой разнице потенциалов.

Если после достижения насыщения тока продолжить увеличивать напряжение на электродах, то при большой разнице потенциалов его сила начнет стремительно возрастать. Это связано с тем, что в газообразном веществе образуются дополнительные заряженные частицы сверх тех, что появляются под воздействием ионизатора. В определенный момент необходимость использования внешнего поля для поддержания разряда отпадет.

В ситуации, когда кинетическая энергия электронов превышает показатель энергии Wi, наблюдается ионизация молекул. При этом основную работу в образовании самостоятельного разряда выполняют электроны. В физике принято выделять 4 вида самостоятельного тока:

Тлеющий. Создается в газообразных веществах при низком давлении (около 1,33 Па). Тлеющий разряд может быть получен при сравнительно небольшом напряжении. Используется он в газовых лампах, например, в неоновых. Применение различных инертных газов позволяет добиться свечения определенного цвета.
Искровой. Появляется при постепенном повышении напряжения. В природе искровой разряд наблюдается в виде молнии.
Дуговой. Если после возникновения искрового разряда продолжить снижать сопротивление электроцепи, то сила тока в искре начнет быстро увеличиваться. В результате возникнет дуговой разряд.
Коронный. Наблюдается при высоком давлении под воздействием неоднородного электрополя.

«Протоптанные» пути вычислений

Все существующие расчетные способы опираются на выведенный Омом закон, согласно которому сила тока, помноженная на напряжение, равняется мощности. Бытовое напряжение – величина постоянная, равная в однофазной сети стандартным 220 В. Значит, в легендарной формуле остаются лишь две переменные: это ток с мощностью. «Плясать» в расчетах можно и нужно от одной из них. Через расчетные значения тока и предполагаемой нагрузки в таблицах ПУЭ найдем требующийся размер сечения.

Обратите внимание, что сечение кабеля рассчитывают для силовых линий, т.е. для проводов к розеткам

Линии освещения априори прокладывают кабелем с традиционной величиной площади сечения 1,5 мм².

Если в обустраиваемом помещении нет мощного диско-прожектора или люстры, требующей питания в 3,3кВт и больше, то увеличивать площадь сечения жилы осветительного кабеля не имеет смысла. А вот розеточный вопрос – дело сугубо индивидуальное, т.к. подключать к одной линии могут такие неравнозначные тандемы, как фен с водонагревателем или электрочайник с микроволновкой.

Тем, кто планирует нагрузить силовую линию электрической варочной поверхностью, бойлером, стиральной машиной и подобной «прожорливой» техникой, желательно распределить всю нагрузку на несколько розеточных групп.

Если технической возможности разбить нагрузку на группы нет, бывалые электрики рекомендуют без затей прокладывать кабель с медной жилой сечением 4-6 мм². Почему с медной токоведущей сердцевиной? Потому что строгим кодексом ПУЭ прокладка кабеля с алюминиевой «начинкой» в жилье и в активно используемых бытовых помещениях запрещена. Сопротивление у электротехнической меди гораздо меньше, тока она пропускает больше и не греется при этом, как алюминий. Алюминиевые провода используются при устройстве наружных воздушных сетей, кое-где они еще остались в старых домах.

Для поиска табличных значений мощности и допустимой силы тока можно пользоваться обоими показателями. Если в таблице указан размер площади сечения в мм², а нам известен только диаметр в мм, площадь нужно найти по следующей формуле:

Насыщение — ток

В этом случае обогащенная, область будет шире у истока, чем у стока. Насыщение тока происходит вследствие запирания канала только напряжением Uvc.

Входные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с обшей базой ( а и по схеме с общим эмиттером ( б.

Внходные характеристики транзистора в схеме с общей базой представлены на рис. 6.12, а и при / э 0 соответствуют характеристике диода, включенного в обратном направлении. Насыщение тока коллектора происходит уже при малых значениях UK. Весьма малый наклон характеристик при / э0 объясняется слабым влиянием напряжения коллектора на величину тока, так как инжектированные носители распространяются в базе, в основном, за счет диффузии.

Распределение электрического поля в разрядном промежутке в отсутствие ( пунктир и при наличии объемного заряда.

Как видно из этих уравнений, при больших полях плотности токов заряженных частиц изменяются в пространстве между электродами линейно, а полный электрический ток, называемый током насыщения, остается постоянным и не зависит от напряженности поля. Физически насыщение тока означает, что все родившиеся под действием внешнего ионизатора электроны и ионы достигают электродов и других путей их гибели нет.

Шумовой ток насыщенного диода при пренебрежимо малом угле пролета. нас-ток насыщения.

Вследствие конечной величины элементарного заряда любой электронный лоток IB вакууме образуется большим количеством импульсов тока. В режиме насыщения тока тер-мо — или фотокатода, когда отсутствуют пространственные заряды, выход каждого отдельного электрона и переход его к а.

Когда ток эмиттера равен нулю, ток коллектора очень мал. При этих условиях насыщение тока коллектора отсутствует, а сопротивление перехода велико. При обратном смещении порядка 50 в сопротивление коллекторного перехода достигает 50 Мот. Как видно из фиг. Как видно из фиг.

Распределение неравновесной концентрации в базе транзистора при насыщении.

Дальнейшее увеличение тока эмиттера не приводит к увеличению тока коллектора. Триод находится в режиме насыщения тока коллектора. С ростом тока эмиттера выше значения / Э1 будет возрастать только ток базы, так как при больших коллекторных токах напряжение на коллекторном переходе уменьшается до такой степени, что коллекторный переход отпирается и начинает инжектировать дырки в область базы. Поскольку коллекторный переход превращается из приемника дырок в источник дырок, то распределение дырок в области базы уже не будет таким, как это было представлено на рис. VI.9. Концентрацию дырок у коллектора уже нельзя будет полагать равной нулю.

Эквивалентная схема полевого транзистора по переменному току.| Семейство выходных вольт-амперных характеристик полевого транзистора с управляющим р-я-пе-реходом.

Пологий участок ВГ характеристики носит название участка насыщения. Напряжение, при котором наступает насыщение тока в канале, называется напряжением насыщения.

Выпрямление переменного напряжения ( объяснение в тексте.

Наиболее распространены оксидные катоды, покрытые слоем бария, стронция толщиной в сотые доли миллиметра. У диодов с такими катодами насыщения тока не происходит, так как оксидные катоды выделяют огромное количество электронов, которые рассосать практически невозможно.

Понижение потенциального барьера под действием электрического поля.